IG2型離子源 / 氬槍 參考價：面議
IG2型離子源 / 氬槍，典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)，濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)，MBE ，高真空濺射過程。
合金納米顆粒UHV沉積源 參考價：面議
合金納米顆粒UHV沉積源，通過調(diào)整各種工藝參數(shù)（如氣體流量、氣體類型、磁控管功率和聚集長度 （Lg））或改變聚集區(qū)孔徑的大小，來控制納米顆粒涂層的性能。
UHV磁控濺射源 參考價：面議
UHV磁控濺射源是高質(zhì)量的磁控濺射源，用于超高真空應(yīng)用的圓形磁控管，可以單獨提供，也可以集成到定制的真空系統(tǒng)中。這些圓形磁控濺射源與所有 UHV 系統(tǒng)兼容。
俄歇電子能量譜組件 參考價：面議
俄歇電子能量譜組件，是一款俄歇光譜圓柱鏡分析儀，專為許多不需要AES映射功能的俄歇分析應(yīng)用而設(shè)計。
熱舟蒸發(fā)源-真空組件 參考價：面議
熱舟蒸發(fā)源-真空組件應(yīng)用范圍： 薄層沉積； 光學(xué)涂覆； 混合層沉積； 金屬電極接觸。
俄歇電子能量譜-真空組件 參考價：面議
俄歇電子能量譜-真空組件俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同...
等離子體原子/離子源-真空組件 參考價：面議
等離子體原子/離子源-真空組件產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮氣,氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個射頻線圈（頻率13.56MHz）,能量將轉(zhuǎn)化為等離子體，這會產(chǎn)生僅具...
半球型電子能量分析譜-真空組件 參考價：面議
半球型電子能量分析譜-真空組件大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑.¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度.¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jost電極.
電子束蒸發(fā)源-真空組件 參考價：面議
電子束蒸發(fā)源-真空組件電子束蒸發(fā)源對于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過高能電子束射向靶材來升高靶材溫度.相比于通常輻射或...
磁控濺射靶源-真空組件 參考價：面議
磁控濺射靶源-真空組件我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)（1e-11torr）匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的...
IG2離子源-超高真空 參考價：面議
IIG2離子源-超高真空典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面（中科院物理所配置多套IG2型離子源）濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)，MBE ，高真空濺射過程離子輔助沉...
真空腔體水氣解吸附組件 參考價：面議
真空腔體水氣解吸附組件Zcuve是近年來上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設(shè)計可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸，具有比例較高的紫外線功率因數(shù)
半球電子能量分析器-真空組件 參考價：面議
半球電子能量分析器-真空組件半球電子能量分析器半徑: 120mm反轉(zhuǎn)角度: 180 deg.
磁控濺射源（1英寸/2英寸/3英寸）-真空組件 參考價：面議
磁控濺射源（1英寸/2英寸/3英寸）-真空組件磁控濺射源/靶槍（1英寸/2英寸/3英寸）我們提供多種口徑的圓形平面靶槍,尺寸1“, 2“ and 3“. 以及矩...
真空腔體水氣解吸附組件2 參考價：面議
真空腔體水氣解吸附組件2ZCUVE代表了水蒸氣解吸技術(shù)的新進(jìn)展。*的設(shè)計可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸，紫外線功率因數(shù)w按比例增加
射頻離子/原子源（可轉(zhuǎn)換）-真空組件 參考價：面議
射頻離子/原子源（可轉(zhuǎn)換）-真空組件射頻離子源：用于離子束沉積，離子束輔助沉積，MEMS射頻原子源：用于合成氧化物，氮化物，氫原子清洗
X射線光源-真空組件 參考價：面議
X射線光源-真空組件X射線光源（可用于X射線電子能譜） 雙陽極X射線光源多種陽極材料具有差分抽氣或者從安裝口抽氣70mm O.D. CF安裝法蘭(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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